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NAND型フラッシュメモリの微細化の限界は、業界全体の関心事だ。代替技術が台頭する中、NAND型フラッシュメモリの延命に取り組むメーカーも存在する。
前編の「NAND型フラッシュメモリの次を見据えるメーカーの思惑」 に続き、NAND型フラッシュメモリの後継技術として関心が高まる、相変化メモリ（PCM）や磁気メモリ（MRAM）、抵抗変化型メモリ（RRAM）の3 つの技術の最新動向を紹介する。これらの新技術は、過去2年間でブレークスルーが起き、性能と耐久性の両面で今後の飛躍が期待されている。... 続きを読む
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2012/01/18
フラッシュメモリ微細化の限界に挑戦するメーカーの取り組み
