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米インテルとマイクロン テクノロジー社は現地時間6日、NAND型フラッシュテクノロジーで世界初となる、20ナノメートル（nm）プロセス技術に基づく128ギガビット（Gb）および64ギガビットのマルチレベルセル（MLC）NAND型フラッシュメモリを発表した。
両社の合弁会社であるIMフラッシュ・テクノロジー（IMFT）では、20nmプロセス技術に基づく128Gb
NAND型フラッシュメモリのダイ8個を使用し、指先サイズのパッケージに収めることで、業界で初めて1テラビット（Tb）のデータ・ストレージを実現し
た。この128GbNAND型フラッシュメモリは、ONFI3.0規格に準拠しており、333M転送/秒を実現した製品となっている。 ... 続きを読む
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2011/12/08
インテルとマイクロン、世界初の20nmプロセス技術に基づくフラッシュメモリの量産開始
